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超高圧電子顕微鏡施設
超高圧走査透過電子顕微鏡(日立 / H-1250ST)
最高加速電圧:1250kV
点分解能:<0.14nm
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200kV電子顕微鏡(日立 / H-800)
最高加速電圧:200kV
点分解能:<0.204nm
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反応科学超高圧走査透過電子顕微鏡 JEM-1000K RS
最高加速電圧:1000kV
点分解能:0.15nm
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電子顕微鏡クラスター
FEI / Tecnai G2 Polara
最高加速電圧:300kV
点分解能:0.236nm
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日立 / HF-2000
最高加速電圧:200kV
点分解能:0.23nm
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日立 / H-9000NAR
最高加速電圧:300kV
点分解能:0.18nm
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付属装置
gatan / デュアルイオンミリング Model 600N
〜10kV、〜1mA、9〜40°
最終薄片化
NTT-AT / プチポリッシャーPOP101
荷重・回転数;一定
粒径:20、3、>1 μm
平面研磨(粗〜仕上げ)
集束イオンビーム試料作製装置
加速電圧:10〜40kV
倍率:50~300,000 / 60~300,000(SIM像)
イオン銃に搭載されがGaをイオン化し、サンプルへ集束されたイオンビームとし て照射し加工する。
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超高圧走査透過電子顕微鏡(日立 / H-1250ST)
200kV電子顕微鏡(日立 / H-800)
反応科学超高圧走査透過電子顕微鏡 JEM-1000K RS
FEI / Tecnai G2 Polara
日立 / HF-2000
日立 / H-9000NAR
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